报告嘉宾：孙钱，中国科学院苏州纳米所
报告题目：第三代半导体氮化镓材料与器件研究及应用展望
报告时间：5月15日（周五）下午15:00
报告地点：5号楼110会议室
报告摘要：
第三代半导体III族氮化物半导体材料具有直接带隙且连续可调、击穿场强高、电子饱和速度高等优点，在红绿蓝及紫外LED与激光器等光电子器件、高频高效功率电子器件以及射频电子器件等领域有着广泛而重要的的应用前景。氮化镓基蓝白光LED已经成为全球半导体照明的主流技术，照亮了全世界，相关技术发明人曾荣获诺贝尔物理学奖!氮化镓半导体技术将为下一代新型显示(光电子)、AI算力中心与数据中心高效供电(功率电子)、5G移动通信及雷达(射频电子)等国家战略新兴产业的高质量发展提供关键材料与核心芯片支撑。
报告人简介：
孙钱，中国科大材料物理和计算机科学与技术双学士(郭沫若奖学金获得者),中国科学院半导体所硕士，美国耶鲁大学电子工程博士(Becton奖获得者),先后获国家重点人才工程A类(首批青年项目)、国家优青/杰青等资助，国家技术发明一等奖获得者(排名第4),中国科学院元器件专家组成员。现任中国科学院苏州纳米所研究员、博导，半导体显示材料与芯片重点实验室主任，研究所党委委员。长期致力于第三代半导体氮化镓(GaN)材料与光电子器件及功率电子器件的研发及产业化，通过专利挂牌转让(3200万元),初步实现了硅基氮化镓材料从基础研究到实际应用的关键突破。带领团队研发出大尺寸、低成本硅衬底GaN基高效LED技术，并实现了规模量产；研制出国际首支硅衬底GaN基激光器，入选中国光学十大进展，并荣获第二届“率先杯”未来技术创新大赛“决赛优胜奖”。近5年来主持承担了国家重点研发计划项目、国家自然科学基金项目、中国科学院战略先导B类专项等。在Nature Photonics、Light:Science &Applications、IEEE Electron.Dev.Lett.等期刊上发表学术论文200余篇，是50余项专利的发明人。近5年应邀在国际氮化物半导体学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。兼任中国物理学会发光分会委员、中国物理学会应用物理前沿推介委员会委员、中国电子学会电子材料分会副主任委员、中国微米纳米技术学会理事会理事、中国有色金属学会宽禁带半导体专委会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。